Oxford牛津INCAPentaFET-x3液氮制冷Si(Li)探頭
INCAPentaFET-x3是牛津儀器最新的30mm2有效面積的高性能Si（Li）能譜系統(tǒng)，分辨率與10mm2探頭完全相同。在相同的工作條件下，INCAPentaFET-x3具有更高的計(jì)數(shù)率和工作效率和最優(yōu)秀的分析性能。
更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，從低計(jì)數(shù)率到高計(jì)數(shù)率
比10mm2能譜系統(tǒng)高達(dá)3倍的工作效率
或在1/3的束流下獲得與10mm2能譜系統(tǒng)相同的計(jì)數(shù)率
低束流下更小的輻照損傷和樣品污染
優(yōu)秀的低能分析性能
有保證的能量分辨率
1k-10kcps譜峰和分辨率變化<1eV
探測(cè)元素從Be開(kāi)始
分析性能完全符合ISO15632：2002國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)
探頭優(yōu)化專(zhuān)利技術(shù)保證探測(cè)晶體的最佳性能
無(wú)與倫比的INCAx-stream脈沖處理器保證在不同計(jì)數(shù)率下的分析性能的穩(wěn)定性