離子輔助沉積已經(jīng)成為在無規(guī)取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的一種重要技術(shù)
高性能的IBAD(離子輔助沉積)系統(tǒng)
離子輔助沉積已經(jīng)成為在無規(guī)取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的一種重要技術(shù)。Neocera開發(fā)了離子輔助的PLD系統(tǒng)，該系統(tǒng)將PLD在沉積復(fù)雜材料方面的優(yōu)勢與IBAD能力結(jié)合在一起。得到無人倫比的技術(shù)專家知識的支持Neocera離子輔助的PLD系統(tǒng)會得到重要應(yīng)用經(jīng)驗的支持。系統(tǒng)開發(fā)結(jié)合了Neocera的工程和工藝經(jīng)驗，保證了最大的用途和工藝性能。
利用離子輔助的PLD, Neocera在柔性多晶yttria穩(wěn)定的YSZ基片上，開發(fā)了具有下列性能的雙軸結(jié)構(gòu)的YBCO薄膜：
l X-ray F-scan full width at half maximum of ~7°
l 轉(zhuǎn)變溫度Tc在88-89K，轉(zhuǎn)變寬度DTc約為約為0.5 K
l 77 K零場強時，臨界電流密度Jc范圍; 1.5—2x106 A/cm2
l 77 K時，磁深入深度l: 284nm
l 77 K，10G時，表面電阻Rs等于700mW
Continuous Composition Spread (連續(xù)組成擴展)
一種基于脈沖激光沉積的、組合材料合成的新型連續(xù)組成擴展(CCS)方法。
經(jīng)濟的組合合成
組合合成是材料科學(xué)中最激動人心的最新進展。在一次鍍膜實驗中，生產(chǎn)多種不同材料組成的能力，大大的提高了獲得具有期望材料性能的最佳組成的速度。然而，現(xiàn)有組合合成系統(tǒng)的高成本對絕大多數(shù)研究預(yù)算來說都是不切合實際的。
得到Neocera PLD經(jīng)驗的支持
Neoceora已經(jīng)應(yīng)用我們豐富的PLD和開發(fā)性能可靠的經(jīng)濟型設(shè)備的經(jīng)驗，發(fā)明了PLD-CCS(脈沖激光沉積-連續(xù)組成擴展)系統(tǒng)。PLD-CCS受益于多層薄膜沉積的方便性和PLD工藝能在基片上改變二元，假二元，或三元體系的組成這一固有特性。
常規(guī)沉積條件下的組合合成
PLD-CCS能以連續(xù)的方式，而不是間隔的方式改變材料，沒有必要使用掩模。這就允許在每一次循環(huán)中，以小于一個單分子層的速率，快速連續(xù)沉積每一種組份，其結(jié)果是基本等同于共沉積法。事實上，該法無需在沉積后進行退火促進內(nèi)部擴散或結(jié)晶，對于生長溫度是關(guān)鍵參數(shù)的研究或者被沉積的材料或基片不適合高溫退火的情況是有用的。
Laser MBE (激光分子束外延)
一種納米尺度薄膜合成的理想方法，PLD和原位高壓RHEED的結(jié)合，
為單分子水平上的薄膜生長提供了精確控制。
使用激光MBE是納米技術(shù)研究的理想工具
激光MBE是普遍采用的術(shù)語，定義了高真空下的PLD與在線工藝監(jiān)測的反射高能電子衍射（RHEED）的聯(lián)合應(yīng)用。該法為用戶提供了類似于MBE的薄膜生長的單分子水平控制。隨著更多的PLD研究受到納米技術(shù)的驅(qū)動，激光MBE變得對用戶更加有益。
正確的設(shè)計是成功使用RHEED和PLD的重要因數(shù)
RHEED通常在高真空（<10-6 torr）環(huán)境下使用。然而，因為在某些特殊情況下，PLD采用較高的壓力，差動抽氣是必要的，維持RHEED槍的工作壓力，同時保持500 mTorr的PLD工藝壓力。同時，設(shè)計完整的系統(tǒng)消除磁場對電子束的影響是至關(guān)重要的。
Neocera的激光MBE系統(tǒng)為用戶在壓力達到500mTorr時所需的單分子層控制。